RZD450型磁控溅射镀膜系统
发布时间：2017/07/03
简介：
RZD450型单室磁控溅射可用于各种半导体的制备，为四靶单样品共溅射结构，可以生长单层膜、多层膜、复合膜、介质膜及铁电微晶薄膜。
主要技术指标：
1、极限真空度：8×10-5Pa，恢复真空：抽至7×10-4Pa的时≤40分钟，关机12小时真空度≤5Pa；
2、真空室：尺寸约?450×450mm，材料：304不锈钢；
3、在3英寸范围内膜厚均匀性优于±5%，重复性优于±5%；
4、基片尺寸：直径3英寸；
5、基片加热温度：500℃，控温精度±1℃；
6、基片：基片转速0～60转/分，计算机控制，可控可调，；
7、平面磁控靶：直径?60mm，数量：4支。2支安装普通金属靶材或者半导体材料，靶材厚度为6mm，2支永磁靶可镀制铁磁性材料，靶材厚度为3mm，带水冷，直流电源及射频电源兼容，与基片的距离50~100mm毫米连续可调；
8、溅射靶电源：直流电源2台：功率：0~500W；射频电源2台：功率500w，配匹配器；
9、配备膜厚控制仪和探头0~9.9999μm，速率范围0~999.9?/s，膜层数量0~257；
10、气体控制：气体流量通过质量流量计控制，一路氩气，另一路氮气，流量均为100sccm；质量流量控制仪一台，一拖二形式；
11、系统配循环水冷机，冷却功率≥1.5KW。具有缺水欠压保护装置，强电缺相保护，超温报警显示等，突然断电维持真空室内的真空状态，保护分子泵。
结构系统组成：
采用立式上盖升降方式，磁控靶在下，样品架在上，自下向上沉积方式成膜。该系统主要由真空室系统、真空抽气及真空测量系统、气路系统、磁控溅射靶及电源系统、样品台系统、电控系统及辅助系统等组成
